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簡要描述：SOA半導體放大器梓冠生產(chǎn) SOA光放大器的原理與摻稀土光纖放大器相似但也有不同, 其放大特性主要取決于有源層的介質特性和激光腔的特性。它雖也是粒子數(shù)反轉放大發(fā)光但發(fā)光的媒介是非平衡載流子即電子空穴對而非稀有元素。半導體的發(fā)光可根據(jù)激發(fā)方式的不同分為光致發(fā)光、電致發(fā)光和陰極發(fā)光等
產(chǎn)品型號：ZG-10-9-1-1-B廠商性質：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-11-20訪 問 量：2415產(chǎn)品分類
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| 品牌 | 梓冠 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 260x285x115mm | 重量 | 2kg |
| 應用領域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
SOA光放大器的原理與摻稀土光纖放大器相似但也有不同, 其放大特性主要取決于有源層的介質特性和激光腔的特性。它雖也是粒子數(shù)反轉放大發(fā)光但發(fā)光的媒介是非平衡載流子即電子空穴對而非稀有元素。半導體的發(fā)光可根據(jù)激發(fā)方式的不同分為光致發(fā)光、電致發(fā)光和陰極發(fā)光等。
特性 應用
噪聲、高增益 光纖通信
高穩(wěn)定性和高可靠性 光纖傳感
結構緊湊 激光雷達
可遠程控
性能指標
參數(shù)指標 | 單位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
工作波長 | nm | 1310nm/1550nm | ||
輸入光功率 | dBm | -6 | +3 | |
飽和輸出功率 | dBm | 10 | ||
小信號增益 | dB | 13 | 16 | |
輸出功率調節(jié)范圍 | % | 0 | 100 | |
噪聲指數(shù) | dB | 7.5 | ||
偏振相關增益 | dB | 1.5 | ||
偏振模色散 | ps | 0.5 | ||
輸入/輸出端隔離度 | dB | 25 | ||
工作溫度范圍 | °C | -5 | 55 | |
存儲溫度范圍 | °C | -40 | 85 | |
尾纖類型 | SMF-28e單模光纖 | |||
供電電壓 | DC 5V 或 AC 220V | |||
產(chǎn)品尺寸 | mm | 150x125x20（模塊） | ||
296x260x89（臺式） | ||||
通信協(xié)議 | RS232 | |||
工作模式 | ACC/APC
| |||
訂購信息
ZG | 輸出功率(dBm) | 尾纖類型 | 尾纖長度 | 連接頭形式 | 封裝形式 |
10 | 09-0.9mm 2-2mm | 1 =1m 2 =2m | 1=FC/APC 2=FC/PC | B=臺式 M=模塊 |
半導體光放大器是一種把發(fā)光器件結構作為放大裝置使用的器件因為具有能帶結構所以其增益帶寬比采用光纖放大器的寬。另外通過改變所使用的半導體材料的組成可以使波長使用范圍超過100nm,這是半導體光放大器的一個突出特點。半導體光放大器由有源區(qū)和無源區(qū)構成,如圖1所示,有源區(qū)為增益區(qū),使用Inp這樣的半導體材料制作,與半導體激光器的主要不同之處是SOA帶抗反射涂層,以防止放大器端面的反射,排除共振器功效
SOA半導體放大器梓冠生產(chǎn)
SOA半導體放大器梓冠生產(chǎn)
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